Qualcomm компанияси йилнинг биринчи технологик кўргазмаси - CES 2017’да янги мобил процессорни тақдим этади. Бу ҳақда ишлаб чиқарувчилар маълумотига асосланиб Кун.уз сайти ёзмоқда. Snapdragon 835 чипсети ўз йўналиши бўйича энг кучли бўлади.Qualcomm Snapdragon 820 ва 821 14-нм технология бўйича яратилган. Snapdragon 835 улар билан солиштирганда 30 фоиз камроқ жойни эгаллайди. Бундан ташқари, янги процессорнинг энергия сарфлаш ҳажми 40 фоизга кам.
Snapdragon 835’нинг ишлаб чиқариш миқдори ҳам аввалгиларга қараганда 27 фоизга кўпроқдир.
Унинг максимал тактлаш частотаси 2,2 ГГц.ни ташкил қилади. Саккизта ядро Adreno 540 графика процессорига қўшимча тарзда бириктирилди.
Бундан ташқари, янги чипсет Quick Charge 4 тез қувват олиш технологиясига эга – аккумулятор сиғими 2750 мАс бўлган смартфонни 5 дақиқада 5 соатлик ишлашга мўлжаллаб қувватлантириш мумкин. У USB-кабель ҳолати ва турини аниқлаши мумкин. Бу эса сифатсиз симлар сабаб аккумуляторга зарар етишнинг олдини олади. Смартфонни қизиб кетишдан тўрт даражали ҳимоя тизими ажратиб туради.
Кутилишича, Snapdragon 835 асосида Samsung Galaxy S8, LG G6 ва Xiaomi Mi6 яратилади.